IBM et Samsung ont annoncé une nouvelle architecture pour concevoir des transistors verticaux. L’objectif est toujours le même : densité, performance, économie d’énergie.
La nouvelle percée des transistors verticaux pourrait aider l’industrie des semi-conducteurs à poursuivre sa quête incessante pour apporter des améliorations significatives, notamment :
- Architecture potentielle de dispositif permettant de poursuivre la mise à l’échelle des dispositifs à semi-conducteurs au-delà de la nanofeuille.
- Des batteries de téléphones portables qui peuvent rester plus d’une semaine sans être rechargées, au lieu de quelques jours.
- Les processus énergivores, tels que les opérations de cryptomining et le chiffrement des données, pourraient nécessiter beaucoup moins d’énergie et avoir une empreinte carbone plus faible.
- Poursuite de l’expansion de l’Internet des objets (IoT) et des dispositifs périphériques (edge) ayant des besoins énergétiques moindres, ce qui leur permet de fonctionner dans des environnements plus diversifiés tels que les bouées océaniques, les véhicules autonomes et les engins spatiaux.
« L’annonce technologique d’aujourd’hui consiste à défier les conventions et à repenser la manière dont nous continuons à faire progresser la société et à proposer de nouvelles innovations qui améliorent la vie, les affaires et réduisent notre impact sur l’environnement », a déclaré Dr. Mukesh Khare, Vice President, Hybrid Cloud and Systems, IBM Research. « Compte tenu des contraintes auxquelles l’industrie est actuellement confrontée sur plusieurs fronts, IBM et Samsung démontrent leur engagement à innover conjointement dans la conception de semi-conducteurs et à poursuivre ensemble ce que nous appelons la « hard tech ». »
Un des enjeux actuels est de pouvoir changer la manière de concevoir et d’implémenter des composants. Historiquement, les transistors ont été construits pour être posés à plat sur la surface d’un semi-conducteur, le courant électrique les traversant latéralement, c’est-à-dire d’un côté à l’autre. Avec les nouveaux transistors à effet de champ à transport vertical, ou VTFET, IBM et Samsung ont réussi à mettre en œuvre des transistors qui sont construits perpendiculairement à la surface de la puce avec un flux de courant vertical, ou de haut en bas. IBM avait annoncé des recherches autour de la gravure 2 nm des composants et pouvant intégrer jusqu’à 50 milliards de transistors sur une surface d’un ongle.
Reste à voir comment ces recherches vont pouvoir passer à la production et quels composants pourront utiliser ces architectures.
